Samsung comienza producción de memorias DDR4 @ 10nm

05 Abr 2016

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Samsung anunció que comenzó la producción de sus memorias DDR4 fabricadas en 10 nanómetros, adelantándose al resto de la industria con sus chips de 8Gb para fabricar módulos que van desde los 4GB para el mercado de consumo hasta 128GB para servidores.

Respecto a las memorias actuales fabricadas en el proceso de 20 nanómetros es posible obtener un desempeño hasta 30% más rápido con tasas de transferencia de 3.200 Mbps y un consumo energético del 10 al 20% inferior gracias a tecnologías de fabricación propietarias de Samsung.

A lo largo del año Samsung tendrá una mayor expansión en su mix de productos con memorias fabricadas a 10nm, las cuales veremos durante 2016 en nuevos kits de memoria de diversos fabricantes.

[Fudzilla]

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