Las fundiciones chinas desarrollan rivales para FinFET

30 Oct 2015

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FinFET ha sido un proceso arduo y tedioso para fabricantes como TSMC y Global Foundries, quienes han visto demorados sus productos diseñados para el proceso debido a problemas en la implementación de éste, es por eso que las fundiciones chinas se están saltando este nodo de fabricación y buscando directamente alternativas como Fully Depleted Silicon on Insulator (FD-SOI), un proceso de producción de wafers más conocido como UTB o Ultra Thin Body.

FD-SOI y los procesos UTB en general requieren menos voltaje, reducen el latch-up y permiten escalar de mejor manera circuitos diminutos con costos operacionales inferiores a FinFET pero hasta ahora el escalado del proceso y la densidad de transistores han hecho que sea ignorado por muchos, principalmente debido a que es un proceso nuevo que no ha sido afinado.

Entre quienes apoyan el uso de UTB se encuentran Global Foundries, Samsung, STMicroelectronics con una posible adición de HH Grace Semiconductor a los adherentes. Si bien estos fabricantes no son una amenaza para TSMC ni uniendo todas sus fuerzas el poder ofrecer procesos de fabricación de avanzada para fabricantes que busquen servicios prioritarios y no cumplan con el volumen ni el desempeño necesario para justificar realizar el pedido bajo FinFET sería una excelente manera de desarrollar el mercado.

[Fudzilla]

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