Intel y Micron desarrollan memoria 1000 veces mas rápida que NAND 3D

29 Jul 2015

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Aún no se alcanza a masificar la implementación de memorias 3D por parte de los fabricantes claves del mundo del almacenamiento flash y ya tenemos un nuevo producto capaz de dejar dichas soluciones de almacenamiento en el pasado gracias a la memoria 3D Xpoint desarrollada por Intel y Micron.

Este nuevo tipo de almacenamiento no volátil promete ser mil veces mas rápido que la memoria NAND, lo que se traduce en velocidades cercanas a las que ofrece una memoria RAM para el almacenamiento de tu equipo, siendo 1000 veces mas rápida y 10 veces más densa que las capacidades actuales en el mercado con capacidades de 128 Gigabits por chip, o 16GB en esta generación.

La tecnología funciona como un cubo rubik con múltiples capas de celdas de memoria hechas de un nuevo material desarrollado por una década de investigación entre Intel y Micron el cual puede recibir una carga eléctrica para cambiar el estado de la celda y transformar ese bit en un 1 o un 0. Ambas compañías eligieron reinventar la rueda en vez de realizar cambios incrementales sobre la tecnología ya existente, por lo que les explicamos qué función realizan cada uno de los componentes:

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Estructura de arreglo cruzado (Cross point array structure)

Conductores perpendiculares conectan 128 mil millones de celdas de memoria en una estructura altamente densa, donde cada celda es capaz de almacenar un bit de información (a diferencia de tres bits como en las memorias MLC que son las más populares en los SSD económicos)

Selector

El selector es quien envía y recibe los datos desde y hacia las celdas de memoria variando el voltaje enviado a ésta. Aparte de reducir los costos aumenta la capacidad de cada chip al eliminar el uso de transistores para el proceso, liberando espacio en el chip.

Celdas de cambio rápido (Fast switching cells)

La integración de los componentes anteriores permite que las celdas cambien su estado de manera mas rápida gracias a las bajas latencias ofrecidas por el arreglo cruzado y el selector, lo que sumado a nuevos algoritmos de escritura inteligente de memoria nos entregan velocidades que prometen dejar mordiendo el polvo a soluciones de memoria actuales.

Apilable (Stackable)

Aquí es donde la estructura pasa de ser bidimensional a tridimensional. Debido a la reducción de componentes es posible apilar múltiples niveles de almacenamiento en un mismo chip de memoria sin problema alguno. Actualmente es posible almacenar 128 Gigabits en dos niveles (16 GB), lo que mejorará con el desarrollo de esta tecnología y nuevos procesos litográficos para disminuir los procesos de fabricación.

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Intel no quiso referirse a números concretos sobre las velocidades de transferencia, consumo energético o qué tipo de productos serán fabricados con esta nueva tecnoogía más que enfocarlo en un uso empresarial donde es necesario procesar mucha información de manera excesivamente rápida como la prevención de fraude en el mercado financiero, inteligencia artificial, control de enfermedades y computación en la nube.

Los primeros wafers ya han salido del horno y durante 2016 se espera la llegada al mercado de esta tecnología producida por IM, un joint venture entre Intel y Micron. Ambas compañías producirán soluciones de almacenamiento basadas en esta tecnología y la venderán por separado en el mercado, así que dudamos que los entes reguladores aprueben la adquisición de Micron por el gobierno de China.

[Intel]

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