TSMC probará litografía extrema ultravioleta (EUV) en 7nm

22 Jul 2015

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TSMC tendrá que omitir probar la tecnología de litografía extrema ultravioleta (EUV por sus siglas en inglés) en su próximo proceso de fabricación de 10nm debido a que la tecnología aún no está lista.

EUV  utiliza escáners con lásers en el rango de los 13.5nm para «dibujar» los patrones y otras características de los chips y eliminaría la necesidad de realizar múltiples patrones, acortaría los tiempos de cada ciclo y mejoraría la producción de los chips fabricados bajo este proceso.

Actualmente TSMC se encuentra trabajando con ASML, fabricante líder en la producción de equipos para fabricar semiconductores para tener lista la tecnología para probarla en el proceso de fabricación de 7nm durante 2017-2018.

Debido a que es una nueva tecnología TSMC aseguró que EUV no será una parte fundamental del proceso de fabricación de 7nm pero que sí está planeado utilizarlo comercialmente para la fabricación a 5nm durante el 2018-2019.

[Fudzilla][Imagen]

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